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    大功率IGBT综合特性测试仪
    一:主要特点
    A:测量多种IGBTMOS
    B:*大脉冲电流1200A
    C:脉冲宽度 50uS~300uS
    DVce测量精度2mV
    EVce测量范围>10V
    F:电脑图形显示界面
    G:智能保护被测量器件
    H:上位机携带数据库功能
    IMOS IGBT内部二极管压降
    二:应用范围
    A大功率IGBT
    B大功率场效应管(Mosfet
    C:大功率二极管
    D:标准低阻值电阻
    E:其他测试应用
    三:参数
    类型 数值 单位 备注
    *大脉冲电流
    Collect node Pulse current
    1200 A  
    脉冲宽度
    Pulse Width
    50300 uS 分档
    正向压降范围
    Forward Sat voltage
    >10 V 峰值
    工作频率
    Trigger Pulse
    0.1~10 Hz 根据器件额定容量选择
    电源输入电压
    Power Requirement
    220 VAC 功耗小于500W
    电源输入频率
    Frequency
    50 Hz  
    电源输入功率
    Power rate
    200W    
    保险丝
    Fuse
    10 A  
    光纤连线
    Fiber  line
    3 m 长度能加长
    栅极电压
    Vge
    -20~+20 V  
    栅极漏电流测试
    Ig Leak current
    -2~2 uA  
    Vgeth 3~10 V IC=900mA Vce=5V
    耐压测试
    Voltage test
    0~5000 VDC  
    耐压测试漏电流
    Ic Leak current
    0~2 mA Vce=5000V
    耐压测试漏电流
    Ic Leak current
    0~4 mA Vce=2000V
     
     
    四:前后面板介绍
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