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详细信息
一:主要特点A:测量多种IGBT、MOS管
B:*大脉冲电流1200A
C:脉冲宽度 50uS~300uS
D:Vce测量精度2mV
E:Vce测量范围>10VF:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
I:MOS IGBT内部二极管压降
A:大功率IGBT
B:大功率场效应管(Mosfet)
C:大功率二极管
D:标准低阻值电阻
E:其他测试应用
三:参数类型 数值 单位 备注 *大脉冲电流
Collect node Pulse current1200 A 脉冲宽度
Pulse Width50至300 uS 分档 正向压降范围
Forward Sat voltage>10 V 峰值 工作频率
Trigger Pulse0.1~10 Hz 根据器件额定容量选择 电源输入电压
Power Requirement220 VAC 功耗小于500W 电源输入频率
Frequency50 Hz 电源输入功率
Power rate200W 保险丝
Fuse10 A 光纤连线
Fiber line3 m 长度能加长 栅极电压
Vge-20~+20 V 栅极漏电流测试
Ig Leak current-2~2 uA Vgeth 3~10 V IC=900mA Vce=5V 耐压测试
Voltage test0~5000 VDC 耐压测试漏电流
Ic Leak current0~2 mA Vce=5000V 耐压测试漏电流
Ic Leak current0~4 mA Vce=2000V
四:前后面板介绍